Требования:
Высшее образование (микроэлектроника, радиоэлектроника) Знания физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов, Основы технологии МИС СВЧ, Параметры полупроводниковых материалов Зондовые измерения (умение измерять) Основы метрологии, методы измерения параметров СВЧ устройств Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ. Схемотехники активных и пассивных устройств СВЧ.
Обязанности:
Проведение измерений входного межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ Проведение измерений активных и пассивных СВЧ компонентов на ручной и полуавтоматической зондовых станций, Load Pull измерения Разработка методик испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных МИС СВЧ Статистический анализ данных и составление плана по оптимизации параметров МИС СВЧ Формирование базы данных всех видов контроля, ведение отчетности Компьютерное моделирование МИС СВЧ, СВЧ элементов, СВЧ узлов и модулей Ведение по технологическому маршруту полупроводниковых пластин МИС СВЧ Согласование межоперационной деятельности со смежными подразделениями Подготовка КД для запуска МИС СВЧ в производство
Условия:
5-ти дневная рабочая неделя (сб и вс - выходные) Стабильная выплата зарплаты (2 раза в месяц) ДМС Профсоюз (экскурсии, билеты в театр и др.) Льготы и гарантии по коллективному договору Частичная оплата детского оздоровительного отдыха Подарки для детей сотрудников на Новый год
